Bumping ＆ WLP封裝

通過晶圓級封裝的Bumping (凸塊) 和 RDL (重布線)技術(shù)，在晶圓的表面實(shí)I/O的重新Layout 及Solder / Copper pillar bump 的引出實(shí)現(xiàn)倒裝芯片的凸塊加工，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)先進(jìn)細(xì)間距(Fine-pitch) Flipchip封裝；以及通過向芯片內(nèi)或外的扇入/扇出(Fan-in/Fan-out) 技術(shù)實(shí)現(xiàn)WLP(Wafer level PKG，晶圓級封裝)技術(shù)，并藉由雙面Fan-out 及 TSV 硅穿孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)2D/2.5D/3D 的先進(jìn)晶圓級封裝技術(shù)。

BGA 封裝

球柵陣列封裝(Ball Grid Array,簡稱BGA)：在封裝體內(nèi)部采用正裝芯片(Die bond/Wire bond) 焊線或先進(jìn)的正裝芯片+倒裝芯片的混合封裝(Hybrid BGA）技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片和基板的互聯(lián)，以及在封裝體基板的背面制作陣列焊錫球作為芯片的I/O端與印刷線路板（PCB）互接。

QFN/QFP 引線框封裝

QFN封裝(方形扁平無引腳封裝)及QFP封裝(方型扁平式封裝)：基于銅框架(Copper Lead Frame) 的QFN和QFP封裝，封裝體中央?yún)^(qū)域采用大面積裸露焊盤用來導(dǎo)熱，大焊盤四周的封裝外圍有實(shí)現(xiàn)電氣連結(jié)的導(dǎo)電焊盤。

倒裝芯片(Flipchip)

FCCSP/FCBGA (Flipchip CSP/BGA)封裝：先進(jìn)高密度倒裝芯片級封裝，采用Cu pillar 或Solder bump 通過將芯片翻轉(zhuǎn)與基板連接，采用散熱蓋(Heat sink)等高散熱解決方案，從而提供更好的電性能，更好的散熱性，及好的焊點(diǎn)可靠性。

SiP系統(tǒng)級封裝

SiP(System in a Package，系統(tǒng)級封裝)：由常規(guī)的Single chip 加 被動(dòng)元器件，發(fā)展到將Multi chip多功能芯片加被動(dòng)元器件，涵蓋包括正裝芯片(Die bond/Wire bond) 及 倒裝芯片(Flipchip)混合封裝技術(shù)，以及諸如MEMS或者光學(xué)Sensor器件及等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的標(biāo)準(zhǔn)封裝件，形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。